Références fabricant

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 919-0281
Référence fabricant:: SI4214DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

827,50 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	0,331 €	827,50 €

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N° de stock RS:: 919-0281
Référence fabricant:: SI4214DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	19.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 19.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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