Références fabricant

Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

N° de stock RS:: 919-0281
Référence fabricant:: SI4214DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 N-Channel Power MOSFET, 7.5 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4214DDY-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 919-0281
Référence fabricant:: SI4214DDY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	19.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14.5nC
	Maximum Operating Temperature	+150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Width	4mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Length	5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 7.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 19.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14.5nC
	Maximum Operating Temperature +150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Width 4mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Length 5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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