Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 239-5383
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,83 € | 5,66 € |
| 20 - 48 | 2,665 € | 5,33 € |
| 50 - 98 | 2,41 € | 4,82 € |
| 100 - 198 | 2,27 € | 4,54 € |
| 200 + | 2,13 € | 4,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-5383
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | SIH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.19Ω | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series SIH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.19Ω | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated
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