Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET, 21 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3

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279-9925
Référence fabricant:
SIHP155N60EF-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

21A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220AB

Series

SIHP

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.157Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

179W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

38nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay MOSFET is a E series power MOSFET with Fast body diode and the transistor in it is made up of material known as silicon.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance

Avalanche energy rated

Reduced switching and conduction losses

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