Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 239-5382
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 50 unités)*
119,40 €
(TVA exclue)
144,45 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 850 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 2,388 € | 119,40 € |
| 100 - 200 | 2,245 € | 112,25 € |
| 250 + | 2,03 € | 101,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-5382
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | SIH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.19Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series SIH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.19Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated
Liens connexes
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay N-Channel MOSFET 400 V TO-220AB SIHP25N40D-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- N-Channel MOSFET 600 V, 3-Pin TO-220AB Vishay SiHP30N60E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP150N60E-GE3
