Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 239-5382
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
96,00 €
(TVA exclue)
116,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 12 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,92 € | 96,00 € |
| 100 - 200 | 1,805 € | 90,25 € |
| 250 + | 1,668 € | 83,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-5382
- Référence fabricant:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | SIH | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.19Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series SIH | ||
Package Type TO-220AB | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.19Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated
Liens connexes
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP11N80AEF-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V TO-220AB SIHP25N40D-GE3
- Vishay EF Type N-Channel Single MOSFETs 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP155N60EF-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP054N65E-GE3
- Vishay SIHP Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB SIHP074N65E-GE3