Vishay SIH Type N-Channel MOSFET, 20 A, 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- N° de stock RS:
- 239-5376
- Référence fabricant:
- SIHG24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 25 unités)*
93,625 €
(TVA exclue)
113,275 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Dernier stock RS
- 500 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,745 € | 93,63 € |
| 50 - 100 | 3,52 € | 88,00 € |
| 125 - 225 | 3,183 € | 79,58 € |
| 250 + | 2,996 € | 74,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-5376
- Référence fabricant:
- SIHG24N80AEF-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 850V | |
| Package Type | TO-247AC | |
| Series | SIH | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.17Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 208W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 850V | ||
Package Type TO-247AC | ||
Series SIH | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.17Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 208W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay EF series power MOSFET has drain current of 20 A. It is used for server and telecom power supplies, switch mode power supplies (SMPS), power factor correction power supplies (PFC)
Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
Low effective capacitance (Co(er))
Reduced switching and conduction losses
Avalanche energy rated (UIS)
Liens connexes
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 850 V TO-247AC SIHG24N80AEF-GE3
- Vishay SIH Type N-Channel MOSFET 800 V, 3-Pin TO-220AB SIHP24N80AEF-GE3
- Vishay Single E Type N-Channel MOSFET 650 V TO-247AC SIHG47N65E-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 400 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG25N40D-GE3
- Vishay SiHG32N50D Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SiHG32N50D-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG155N60EF-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG150N60E-GE3
- Vishay SIHG Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC SIHG085N60EF-GE3
