Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSR315PH6327XTSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 50 unités)*

5,90 €

(TVA exclue)

7,15 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 +0,118 €5,90 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
215-2469
Référence fabricant:
BSR315PH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

620mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SIPMOS

Package Type

SC-59

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

800mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6nC

Maximum Power Dissipation Pd

0.5W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon SIPMOS® Small-Signal-Transistor P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -20V maximum drain source voltage with SOT-23 package type. The Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics. The BSS84P is a p-channel enhancement mode MOSFET in a small surface mount package with superior switching performance. This product is particularly suited for low-voltage, low-current applications.

Enhancement mode

Logic level

Avalanche rated

Fast switching

Dv/dt rated

Pb-free lead-plating

Liens connexes