Infineon BSR316P Type P-Channel MOSFET, 360 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SC-59

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

414,00 €

(TVA exclue)

501,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 27 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,138 €414,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
170-2250
Référence fabricant:
BSR316PH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-59

Series

BSR316P

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

1.1mm

Width

1.6 mm

Length

3mm

Automotive Standard

AEC-Q101

All products in small signal packages are suitable for automotive applications

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics

Enhancement mode

Pb-free lead plating

Target Applications:

Automotive

Consumer

DC-DC

eMobility

Motor control

Notebook

Onboard charger

Liens connexes