Références fabricant

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 150 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70

N° de stock RS:: 826-9945
Référence fabricant:: BSS84PWH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon SIPMOS Type P-Channel MOSFET, 150 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70

Sous-total (1 bobine de 500 unités)*

35,50 €

(TVA exclue)

43,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

7 500 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
500 +	0,071 €	35,50 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 826-9945
Référence fabricant:: BSS84PWH6327XTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	150mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-70
	Series	SIPMOS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	25Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-1.12V
	Maximum Power Dissipation Pd	300mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	2mm
	Height	0.8mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 150mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-70
	Series SIPMOS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 25Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -1.12V
	Maximum Power Dissipation Pd 300mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 2mm
	Height 0.8mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Infineon SIPMOS Series MOSFET, 60V Maximum Drain Source Voltage, 150mA Maximum Continuous Drain Current - BSS84PWH6327XTSA1

This MOSFET is a P‑channel enhancement device designed for compact surface‑mount applications in automotive and industrial contexts. It controls and switches small currents at moderate voltages while operating across a wide temperature range suitable for demanding environments.

Features and Benefits:

• 60V drain rating enables moderate‑voltage switching capacity
• 150mA continuous drain current supports low‑power circuits
• 25Ω maximum Rds reduces losses in light‑load switching
• 300mW power dissipation allows sustained thermal handling
• 20V gate tolerance permits flexible gate‑drive levels
• 1nC typical gate charge yields fast, low‑energy switching

Applications

• Suitable for load switching in automotive control modules
• Ideal for level‑shifting in sensor interface circuits
• Used with battery management for low‑current paths
• Can be used for protection switching in telematics units
• Appropriate for compact consumer electronics power paths

What environmental range can it tolerate in deployed systems?

It operates from -55°C up to 150°C, covering extended cold‑start and high‑temperature under‑bonnet conditions.

Which package suits high‑density PCB layouts?

It comes in an SC‑70 three‑pin surface‑mount package measuring 1.25x2mm footprint for tight component spacing.

How does the gate charge affect drive requirements?

With a typical Qg of 1nC, standard low‑current drivers can switch it quickly with minimal energy consumption.

Is it compatible with automotive reliability standards?

It meets AEC‑Q101 qualification appropriate for many vehicle electronic subsystems.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.