Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 280 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SC-70

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 500 unités)*

42,50 €

(TVA exclue)

51,50 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
500 - 5000,085 €42,50 €
1000 - 20000,06 €30,00 €
2500 - 45000,056 €28,00 €
5000 - 120000,053 €26,50 €
12500 +0,042 €21,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
826-9282
Référence fabricant:
BSS138WH6433XTMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

280mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SC-70

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.5Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

1nC

Forward Voltage Vf

0.85V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Height

0.8mm

Width

1.25 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes