Infineon BSR316P Type P-Channel MOSFET, 360 mA, 100 V Enhancement, 3-Pin SC-59 BSR316PH6327XTSA1

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Référence fabricant:
BSR316PH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

SC-59

Series

BSR316P

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.3nC

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3mm

Height

1.1mm

Width

1.6 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

All products in small signal packages are suitable for automotive applications

Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics

Enhancement mode

Pb-free lead plating

Target Applications:

Automotive

Consumer

DC-DC

eMobility

Motor control

Notebook

Onboard charger

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