Vishay SiSHA04DN Type N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3

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188-5123
Référence fabricant:
SISHA04DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

40A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

SiSHA04DN

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00215Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

22.5nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.3 mm

Height

0.93mm

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV power MOSFET

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