Vishay TrenchFET N-Channel MOSFET, 67.4 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SiSH536DN-T1-GE3

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N° de stock RS:
228-2928
Référence fabricant:
SiSH536DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

67.4 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.00325 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Si

The Vishay N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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