Références fabricant

Vishay SiSHA04DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 188-4896
Référence fabricant:: SISHA04DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSHA04DN N-Channel MOSFET, 40 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISHA04DN-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 188-4896
Référence fabricant:: SISHA04DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212-8SH
	Series	SiSHA04DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00215Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.3mm
	Height	930μm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212-8SH
	Series SiSHA04DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00215Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.3mm
	Height 930μm
	Automotive Standard No

Datasheet SISHA04DN-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET ® Gen IV power MOSFET

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