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Vishay SiSHA14DN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA14DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 188-4957
Référence fabricant:: SiSHA14DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiSHA14DN Type N-Channel MOSFET, 20 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA14DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 188-4957
Référence fabricant:: SiSHA14DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	SiSHA14DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	26.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.4nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.93mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 20A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series SiSHA14DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 26.5W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.4nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.93mm
	Automotive Standard No

Datasheet SiSHA14DN-T1-GE3

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

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