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Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS862ADN-T1-GE3

N° de stock RS:: 188-4951
Numéro d'article Distrelec:: 304-38-850
Référence fabricant:: SIS862ADN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS862ADN Type N-Channel MOSFET, 52 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SIS862ADN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 188-4951
Numéro d'article Distrelec:: 304-38-850
Référence fabricant:: SIS862ADN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SiS862ADN
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.8nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	39W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	3.15mm
	Height	1.07mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 52A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SiS862ADN
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.8nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 39W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 3.15mm
	Height 1.07mm
	Automotive Standard No

Datasheet SIS862ADN-T1-GE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

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