Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 85 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 735-237
- Référence fabricant:
- SISF12EDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N channel | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 85A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 12V | |
| Package Type | PowerPAK 1212 | |
| Series | TrenchFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 3.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 45.5nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69.4W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 3.3mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N channel | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 85A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 12V | ||
Package Type PowerPAK 1212 | ||
Series TrenchFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 3.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45.5nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69.4W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 3.3mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
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