Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 85 A, 12 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISF12EDN-T1-GE3

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735-237
Référence fabricant:
SISF12EDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

85A

Maximum Drain Source Voltage Vds

12V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

45.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69.4W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

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