Vishay SiSHA12ADN Type N-Channel MOSFET, 25 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSHA12ADN-T1-GE3

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188-4936
Référence fabricant:
SiSHA12ADN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiSHA12ADN

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29.5nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

28W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

3.3mm

Height

0.93mm

Width

3.3 mm

Automotive Standard

No

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET.

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

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