Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -104 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3

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735-266
Référence fabricant:
SISH521EDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

P-Channel

Maximum Continuous Drain Current Id

-104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.006Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.98mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

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