Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -104 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SH SISH521EDN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

0,74 €

(TVA exclue)

0,90 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 février 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 240,74 €
25 - 990,49 €
100 +0,25 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
735-266
Référence fabricant:
SISH521EDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-104A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8SH

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.006Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

102nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.98mm

Length

3.4mm

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Liens connexes