Références fabricant

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 0.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89

N° de stock RS:: 180-7262
Référence fabricant:: SI1034CX-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual TrenchFET 2 Type N-Channel MOSFET, 0.5 A, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-89

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

339,00 €

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3000 +	0,113 €	339,00 €

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N° de stock RS:: 180-7262
Référence fabricant:: SI1034CX-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	0.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-89
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.396Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	220mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	1.3nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Height	0.6mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.2 mm
	Length	1.7mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 0.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-89
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.396Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 220mW
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 1.3nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Height 0.6mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.2 mm
	Length 1.7mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Datasheet

Vishay MOSFET

The Vishay surface mount dual N-channel MOSFET has a drain-source voltage of 20V. It has drain-source resistance of 396mohm at a gate-source voltage of 4.5V. It has a maximum power rating of 220mW. The MOSFET has continuous drain current of 610mA. The MOSFET has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits

• Gate source ESD protected: 1000V

• Halogen free

• Lead (Pb) free

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

Applications

• Battery powered devices

• Drivers: relays, solenoids, lamps, hammers, displays, memories

• Load/power switching for portable devices

• Power supply converter circuits

Certifications

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• Rg tested