Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 178-3667
Référence fabricant:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 12 A, 60 V Enhancement, 6-Pin SC-70-6L SiA106DJ-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-3667
Référence fabricant:: SiA106DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SC-70-6L
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0185Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.9nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	2.2mm
	Standards/Approvals	No
	Width	1.35mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SC-70-6L
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0185Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 19W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.9nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 2.2mm
	Standards/Approvals No
	Width 1.35mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Statut RoHS : Exempté

Pays d'origine :: CN

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg Figure-of-Merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS – Qoss

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