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IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T

N° de stock RS:: 125-8043
Référence fabricant:: IXFN420N10T
Fabricant:: IXYS

IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 420 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN420N10T

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N° de stock RS:: 125-8043
Référence fabricant:: IXFN420N10T
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	420A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	SOT-227
	Series	GigaMOS Trench HiperFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.3mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	1.07kW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	670nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 420A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type SOT-227
	Series GigaMOS Trench HiperFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.3mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 1.07kW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 670nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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