Références fabricant

IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2

N° de stock RS:: 125-8042
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-371
Référence fabricant:: IXFN360N15T2
Fabricant:: IXYS

IXYS GigaMOS TrenchT2 HiperFET Type N-Channel MOSFET, 310 A, 150 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N15T2

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

43,85 €

(TVA exclue)

53,06 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 23 juillet 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité
1 - 1	43,85 €
2 - 4	42,97 €
5 +	41,65 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 125-8042
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-371
Référence fabricant:: IXFN360N15T2
Fabricant:: IXYS

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	310A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	GigaMOS TrenchT2 HiperFET
	Package Type	SOT-227
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	715nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	1.07kW
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	38.23mm
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 310A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series GigaMOS TrenchT2 HiperFET
	Package Type SOT-227
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 715nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 1.07kW
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 38.23mm
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: PH

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.