IXYS GigaMOS Trench HiperFET Type N-Channel MOSFET, 360 A, 100 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN360N10T

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N° de stock RS:
125-8041
Numéro d'article Distrelec:
302-53-370
Référence fabricant:
IXFN360N10T
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

360A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

GigaMOS Trench HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

525nC

Maximum Power Dissipation Pd

830W

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

30253370

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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