Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs, 172 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 932,00 €

(TVA exclue)

2 337,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Informations sur le stock actuellement non accessibles - Veuillez vérifier plus tard
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,644 €1 932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-148
Référence fabricant:
SISS5208DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

172A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SISS5208DN

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0013Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

24.6nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

7 V

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.40 mm

Height

0.83mm

Length

3.40mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 20 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes