Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs, 172 A, 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-149
- Référence fabricant:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 ruban de 1 unité)*
1,82 €
(TVA exclue)
2,20 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 6 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,82 € |
| 25 - 99 | 1,78 € |
| 100 - 499 | 1,73 € |
| 500 - 999 | 1,48 € |
| 1000 + | 1,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-149
- Référence fabricant:
- SISS5208DN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 172A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 20V | |
| Series | SISS5208DN | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0013Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 24.6nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 56.8W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 7 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.40mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 3.40 mm | |
| Height | 0.83mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 172A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 20V | ||
Series SISS5208DN | ||
Package Type PowerPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0013Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 24.6nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 56.8W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 7 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.40mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 3.40 mm | ||
Height 0.83mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 20 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8S, it utilizes TrenchFET Gen V technology to deliver ultra-low RDS(on), fast switching, and excellent thermal performance.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SISS5208DN Type N-Channel Single MOSFETs 20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SISS5208DN-T1-GE3
- Vishay SIRA18DDP Type N-Channel Single MOSFETs 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR5712DP Type N-Channel Single MOSFETs 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SISS5812DN Type N-Channel Single MOSFETs 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4156LDP Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIR4406DP Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- Vishay SIB4122DK Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 7-Pin PowerPAK