Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs, 62.8 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIS4406DN-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 173,00 €

(TVA exclue)

1 419,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,391 €1 173,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-146
Référence fabricant:
SIS4406DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

Single MOSFETs

Maximum Continuous Drain Current Id

62.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SIS4406DN

Package Type

PowerPAK

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.00475Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

33.7W

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23.7nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.30mm

Width

3.30 mm

Height

0.41mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK 1212-8, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and optimized switching performance.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes