Références fabricant

Vishay SIJ4406DP N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 653-105
Référence fabricant:: SIJ4406DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIJ4406DP N-Channel Single MOSFETs, 78 A, 40 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIJ4406DP-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 458,00 €

(TVA exclue)

1 764,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,486 €	1 458,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 653-105
Référence fabricant:: SIJ4406DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id	78A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPAK
	Series	SIJ4406DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00475Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	41.6W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	10.9nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.14mm
	Standards/Approvals	No
	Length	6.25mm
	Width	5.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type Single MOSFETs
	Maximum Continuous Drain Current Id 78A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPAK
	Series SIJ4406DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00475Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 41.6W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.9nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.14mm
	Standards/Approvals No
	Length 6.25mm
	Width 5.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJ4406DP-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching in Compact power systems. It supports up to 40 V drain-source voltage. Packaged in PowerPAK SO-8L, it utilizes TrenchFET Gen IV technology to deliver very low gate charge (Qg), reduced output charge (Qoss), and excellent switching efficiency.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.