Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 32 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-084
- Référence fabricant:
- SIHR120N60E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 32A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | E | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.12Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 278W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 8 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 32A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series E | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.12Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 278W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 8 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay 4th generation E Series Power MOSFET optimized for high-performance switching applications. It offers a low figure of merit (FOM), reduced switching and conduction losses, and low effective capacitance. Packaged in the Compact PowerPAK 8x8LR, it's Ideal for use in server, telecom, lighting, and industrial power supplies.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
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