Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs, 32 A, 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR120N60E-T1-GE3

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653-083
Référence fabricant:
SIHR120N60E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Single MOSFETs

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

32A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

PowerPAK

Series

E

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.12Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±30 V

Maximum Power Dissipation Pd

278W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

29nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

8 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay 4th generation E Series Power MOSFET optimized for high-performance switching applications. It offers a low figure of merit (FOM), reduced switching and conduction losses, and low effective capacitance. Packaged in the Compact PowerPAK 8x8LR, it's Ideal for use in server, telecom, lighting, and industrial power supplies.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

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