Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs, 51 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK
- N° de stock RS:
- 653-178
- Référence fabricant:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 1 unité)*
6,59 €
(TVA exclue)
7,97 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s) | le ruban |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,59 € |
| 10 - 49 | 6,40 € |
| 50 - 99 | 6,19 € |
| 100 + | 5,34 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 653-178
- Référence fabricant:
- SIHM080N60E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Single MOSFETs | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | PowerPAK | |
| Series | SIHM080N60E | |
| Mount Type | PCB | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.084Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 8mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Single MOSFETs | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type PowerPAK | ||
Series SIHM080N60E | ||
Mount Type PCB | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.084Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 8mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay Power MOSFET is a 4th generation E Series MOSFET designed for high-efficiency switching in demanding applications. It features a low figure of merit (FOM), reduced effective capacitance, and optimized thermal performance. Packaged in PowerPAK 8x8L, it's Ideal for server, telecom, SMPS, and power factor correction supplies.
Pb Free
Halogen free
RoHS compliant
Liens connexes
- Vishay SIHM080N60E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHM080N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR120N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel Single MOSFETs 600 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIHR100N60E-T1-GE3
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SIHH26N60E-T1-GE3
- Vishay SI2122DS Type N-Channel Single MOSFETs 100 V Enhancement, 3-Pin PowerPAK
- Vishay SIS4406DN Type N-Channel Single MOSFETs 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK