Références fabricant

Vishay E N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3

N° de stock RS:: 210-4989
Référence fabricant:: SIHH240N60E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay E N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK 8 x 8 SIHH240N60E-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 210-4989
Référence fabricant:: SIHH240N60E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Series	E
	Package Type	PowerPAK 8 x 8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	208mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	30V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	15nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	89W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	7.9mm
	Standards/Approvals	No
	Width	7.9mm
	Height	900μm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Series E
	Package Type PowerPAK 8 x 8
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 208mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 89W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 7.9mm
	Standards/Approvals No
	Width 7.9mm
	Height 900μm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIHH240N60E-T1-GE3

The Vishay E Series Power MOSFET has PowerPAK 8 x 8 package type with single configuration.

4th generation E series technology

Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Low effective capacitance (Co(er))

Reduced switching and conduction losses

Avalanche energy rated (UIS)

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