onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 76 A, 40 V Enhancement, 56-Pin Power 56 FDMS8333LN
- N° de stock RS:
- 277-063
- Référence fabricant:
- FDMS8333LN
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 10 unités)*
6,87 €
(TVA exclue)
8,31 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,687 € | 6,87 € |
| 100 - 240 | 0,653 € | 6,53 € |
| 250 - 490 | 0,605 € | 6,05 € |
| 500 - 990 | 0,557 € | 5,57 € |
| 1000 + | 0,536 € | 5,36 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 277-063
- Référence fabricant:
- FDMS8333LN
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 76A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | NXH | |
| Package Type | Power 56 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 56 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 69W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.15mm | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 76A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series NXH | ||
Package Type Power 56 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 56 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 69W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.15mm | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
The ON Semiconductor N Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimise switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimised for low gate charge, low RDS(ON), fast switching speed and body and body diode reverse recovery performance.
100% UIL tested
MSL 1 robust package design
RoHS compliant
Liens connexes
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH007F120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG
- onsemi NXH Type N-Channel MOSFET 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG