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onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 145 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG

N° de stock RS:: 277-050
Référence fabricant:: NXH008P120M3F1PTG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 145 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG

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N° de stock RS:: 277-050
Référence fabricant:: NXH008P120M3F1PTG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	PIM18
	Series	NXH
	Mount Type	Snap-in
	Pin Count	18
	Maximum Drain Source Resistance Rds	10.9mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	34.2W
	Forward Voltage Vf	6.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	419nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 145A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type PIM18
	Series NXH
	Mount Type Snap-in
	Pin Count 18
	Maximum Drain Source Resistance Rds 10.9mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 34.2W
	Forward Voltage Vf 6.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 419nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH008P120M3F1PTG

The ON Semiconductor Power Module contains an 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all housed in an F1 package. This module is designed for high-efficiency power applications, making it ideal for use in solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Press fit pins

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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