onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 145 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH008P120M3F1PTG

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277-050
Référence fabricant:
NXH008P120M3F1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

145A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NXH

Package Type

PIM18

Mount Type

Snap-in

Pin Count

18

Maximum Drain Source Resistance Rds

10.9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

6.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

419nC

Maximum Power Dissipation Pd

34.2W

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Power Module contains an 8 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all housed in an F1 package. This module is designed for high-efficiency power applications, making it ideal for use in solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Press fit pins

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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