onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 34-Pin PIM34 NXH011F120M3F2PTHG

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220-578
Référence fabricant:
NXH011F120M3F2PTHG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NXH

Package Type

PIM34

Pin Count

34

Maximum Drain Source Resistance Rds

16mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

6.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

284nC

Maximum Power Dissipation Pd

244W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing 11 m ohm / 1200 V SiC MOSFET full−bridge and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.

Halogen Free

RoHS Compliant

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