onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 191 A, 1200 V Enhancement, 36-Pin PIM36 NXH006P120M3F2PTHG

Sous-total (1 paquet de 1 unité)*

134,33 €

(TVA exclue)

162,54 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Paquet(s)
le paquet
1 +134,33 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
220-575
Référence fabricant:
NXH006P120M3F2PTHG
Fabricant:
onsemi
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

191A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

PIM36

Series

NXH

Pin Count

36

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

7.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

622nC

Maximum Power Dissipation Pd

556W

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

Halide Free, RoHS, Pb-Free

Length

51mm

Height

16.5mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing 6 m ohm / 1200 V SiC MOSFET half−bridge and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.

Halogen Free

RoHS Compliant

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.