onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 38 A, 1200 V Enhancement, 22-Pin PIM22 NXH030F120M3F1PTG

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Référence fabricant:
NXH030F120M3F1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

38A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

PIM22

Series

NXH

Mount Type

Snap-in

Pin Count

22

Maximum Drain Source Resistance Rds

38.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Forward Voltage Vf

6V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

34.2W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Power Module contains a 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET full-bridge and a thermistor, featuring an Al2O3 DBC (Direct Bonded Copper) in an F1 package. This high-performance module is designed for efficient power conversion and is ideal for applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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