onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 42 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH030P120M3F1PTG

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Référence fabricant:
NXH030P120M3F1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

42A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

PIM18

Series

NXH

Mount Type

Snap-in

Pin Count

18

Maximum Drain Source Resistance Rds

38.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

110nC

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Power Module contains a 30 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all housed in an F1 package. This module is designed for high-efficiency power conversion and is ideal for applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Press fit pins

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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