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onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG

N° de stock RS:: 220-552
Référence fabricant:: NXH008T120M3F2PTHG
Fabricant:: onsemi

onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG

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N° de stock RS:: 220-552
Référence fabricant:: NXH008T120M3F2PTHG
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	129A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	1200V
	Package Type	PIM29
	Series	NXH
	Pin Count	29
	Maximum Drain Source Resistance Rds	11.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	22 V
	Maximum Power Dissipation Pd	371W
	Forward Voltage Vf	4.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	454nC
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	56.7mm
	Width	42.5 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 129A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V
	Package Type PIM29
	Series NXH
	Pin Count 29
	Maximum Drain Source Resistance Rds 11.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 22 V
	Maximum Power Dissipation Pd 371W
	Forward Voltage Vf 4.8V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 454nC
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS
	Length 56.7mm
	Width 42.5 mm
	Automotive Standard No

Datasheet - NXH008T120M3F2PTHG

The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing an 8 m ohm / 1200 V SiC MOSFET TNPC and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.

Halogen Free

RoHS Compliant

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