onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 129 A, 1200 V Enhancement, 29-Pin PIM29 NXH008T120M3F2PTHG

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Référence fabricant:
NXH008T120M3F2PTHG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

129A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NXH

Package Type

PIM29

Pin Count

29

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

454nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

4.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Power Dissipation Pd

371W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

56.7mm

Width

42.5 mm

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor MOSFET is a power module containing an 8 m ohm / 1200 V SiC MOSFET TNPC and a thermistor with HPS DBC in an F2 package.

Halogen Free

RoHS Compliant

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