onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 77 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH015P120M3F1PTG

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277-053
Référence fabricant:
NXH015P120M3F1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

77A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Package Type

PIM18

Series

NXH

Mount Type

Snap-in

Pin Count

18

Maximum Drain Source Resistance Rds

20mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

211nC

Maximum Power Dissipation Pd

198W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ON Semiconductor Power Module contains a 15 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all packaged in an F1 format. It is designed for high-efficiency power conversion, making it ideal for applications such as solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Press fit pins

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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