onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG
- N° de stock RS:
- 277-052
- Référence fabricant:
- NXH010P120M3F1PTG
- Fabricant:
- onsemi
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- NXH010P120M3F1PTG
- Fabricant:
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 105A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Package Type | PIM18 | |
| Series | NXH | |
| Mount Type | Snap-in | |
| Pin Count | 18 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 24.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 314nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 272W | |
| Forward Voltage Vf | 6V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 105A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Package Type PIM18 | ||
Series NXH | ||
Mount Type Snap-in | ||
Pin Count 18 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 24.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 314nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 272W | ||
Forward Voltage Vf 6V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
The ON Semiconductor Power Module contains a 10 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all integrated into an F1 package. This module is well-suited for high-performance applications, including solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.
Press fit pins
Pb free
Halide free and RoHS compliant
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