onsemi NXH Type N-Channel MOSFET, 105 A, 1200 V Enhancement, 18-Pin PIM18 NXH010P120M3F1PTG

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Référence fabricant:
NXH010P120M3F1PTG
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

105A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

NXH

Package Type

PIM18

Mount Type

Snap-in

Pin Count

18

Maximum Drain Source Resistance Rds

24.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Power Dissipation Pd

272W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

314nC

Forward Voltage Vf

6V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

22 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS Compliant

The ON Semiconductor Power Module contains a 10 mΩ, 1200V SiC MOSFET half-bridge and a thermistor, all integrated into an F1 package. This module is well-suited for high-performance applications, including solar inverters, uninterruptible power supplies (UPS), electric vehicle charging stations, and industrial power systems.

Press fit pins

Pb free

Halide free and RoHS compliant

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