Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 3.8 A, 20 V Enhancement, 8-Pin ChipFET SI5935CDC-T1-GE3

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818-1352
Référence fabricant:
SI5935CDC-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

ChipFET

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

156mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

7nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.7 mm

Length

3.1mm

Height

1.1mm

Standards/Approvals

No

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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