Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

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812-3189
Référence fabricant:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOP

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

188mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.2nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.4W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Length

3.1mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Width

1.7 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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