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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3189
Référence fabricant:: SI3993CDV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP SI3993CDV-T1-GE3

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N° de stock RS:: 812-3189
Référence fabricant:: SI3993CDV-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	TSOP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	188mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	5.2nC
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.1mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 2.3A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type TSOP
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 188mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.4W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 5.2nC
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.1mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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