Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin 1206-8 ChipFET SI5908BDC-T1-GE3

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N° de stock RS:
735-215
Référence fabricant:
SI5908BDC-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

1206-8 ChipFET

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.05Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

6.5nC

Maximum Power Dissipation Pd

3.1W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.1mm

Length

3.1mm

Width

1.975 mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
DE

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