Références fabricant

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin 1206-8 ChipFET SI5908BDC-T1-GE3

N° de stock RS:: 735-215
Référence fabricant:: SI5908BDC-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 4 A, 20 V Enhancement, 8-Pin 1206-8 ChipFET SI5908BDC-T1-GE3

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N° de stock RS:: 735-215
Référence fabricant:: SI5908BDC-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	1206-8 ChipFET
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.05Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	6.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.975mm
	Standards/Approvals	RoHS Compliant
	Length	3.1mm
	Height	1.1mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type 1206-8 ChipFET
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.05Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 6.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.975mm
	Standards/Approvals RoHS Compliant
	Length 3.1mm
	Height 1.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SI5908BDC-T1-GE3

Pays d'origine :: DE

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