Vishay Si5418DU Type N-Channel MOSFET, 11.6 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5418DU-T1-GE3

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818-1318
Référence fabricant:
SI5418DU-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK ChipFET

Series

Si5418DU

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

18.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.98 mm

Height

0.85mm

Standards/Approvals

No

Length

3.08mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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