Références fabricant

Vishay Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3

N° de stock RS:: 256-7375
Référence fabricant:: SI5517DU-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 6 A, 20 V PowerPAK ChipFET SI5517DU-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 256-7375
Référence fabricant:: SI5517DU-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	20 V
	Package Type	PowerPAK ChipFET
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	1.2 V
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	1.4 Ω
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 6 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 20 V
	Package Type PowerPAK ChipFET
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) 1.2 V
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 1.4 Ω
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No

Datasheet - SI5517DU-T1-GE3

The Vishay Semiconductor Nand P-channel 20 V (D-S) mosfet 6A 8.3W surface mount its applications are complementary mosfet for portable devices Ideal for buck-boost circuits.

TrenchFET power mosfet

Small footprint area

Low on-resistance

Thin 0.8 mm profile

100% Rg tested

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