Références fabricant

Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-6326
Référence fabricant:: SI5419DU-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 165-6326
Référence fabricant:: SI5419DU-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	9.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	PowerPAK ChipFET
	Series	Si5419DU
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	33mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Maximum Power Dissipation Pd	31W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-0.85V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.98mm
	Standards/Approvals	No
	Length	3.08mm
	Height	0.85mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 9.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type PowerPAK ChipFET
	Series Si5419DU
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 33mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Maximum Power Dissipation Pd 31W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -0.85V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.98mm
	Standards/Approvals No
	Length 3.08mm
	Height 0.85mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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