Vishay Si5419DU Type P-Channel MOSFET, 9.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK ChipFET SI5419DU-T1-GE3

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818-1312
Référence fabricant:
SI5419DU-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

9.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Series

Si5419DU

Package Type

PowerPAK ChipFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

33mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

31W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

30nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-0.85V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

3.08mm

Width

1.98 mm

Height

0.85mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, 30V to 80V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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