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Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 165-6282
Référence fabricant:: SI4909DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:: 165-6282
Référence fabricant:: SI4909DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	34mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	41.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1.55mm
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series TrenchFET
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 41.5nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1.55mm
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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