Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
165-6282
Référence fabricant:
SI4909DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

34mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41.5nC

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

3.2W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

4 mm

Length

5mm

Standards/Approvals

No

Height

1.55mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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