Vishay Isolated TrenchFET 2 Type P-Channel Power MOSFET, 2.3 A, 30 V Enhancement, 6-Pin TSOP

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

501,00 €

(TVA exclue)

606,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 01 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,167 €501,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-6919
Référence fabricant:
SI3993CDV-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

TSOP

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

188mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.4W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5.2nC

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

-55°C

Width

1.7 mm

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

3.1mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Dual P-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes