Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SQS462EN-T1_GE3

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Référence fabricant:
SQS462EN-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

135mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

33W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.82V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

3.4 mm

Height

1.12mm

Length

3.4mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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